Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

IRF540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

8 417 шт

Под заказ:

15 000 шт

Цена от:

от 22,19₽

IRF540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

5 493 шт

Под заказ:

1 720 шт

Цена от:

от 37,52₽

IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2020пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 180,05₽

Акция

IRFU4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A. 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

244 шт

Под заказ:

6 825 шт

Цена от:

от 90,34₽

BUK9240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 38.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 824пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 2135пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB33N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP33N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 127Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB65R065C7ATMA2 Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPW65R065C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 213 шт

Цена от:

от 30,95₽

IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 213 шт

Цена от:

от 37,19₽

IRFP140NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR4615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 33A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 103 шт

Цена от:

от 63,69₽

SIHB33N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3508пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB42N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"