Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
IRF540NPBF IRF540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 140Вт, 0.052 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 447 шт

Внешние склады:
11 080 шт
Цена от:
от 23,22
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 281 шт

Внешние склады:
2 350 шт
Цена от:
от 35,10
Акция
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 147,36
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А, 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
212 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 99,96
Акция
IRFU4615PBF IRFU4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A. 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I-Pak (TO-251AA)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 97,56
BUK9240-100A,118 BUK9240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
38.6 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
3072пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB33N25TM FDB33N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP33N25 FDP33N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA28N15 FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB33N10TM FQB33N10TM Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 33 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP33N10 FQP33N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
127Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB65R065C7ATMA2 IPB65R065C7ATMA2 Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF540NSPBF IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 631 шт
Цена от:
от 30,95
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
11 631 шт
Цена от:
от 35,10
IRFR4615PBF IRFR4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 386 шт
Цена от:
от 51,36
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 33 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3508пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB42N65M5 STB42N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"