Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
AP9563GH Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 26А 39Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 26A Мощность макс.: 39 Вт Тип транзистора: P-канал
Наличие:
166 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 66,24
STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A, Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
268 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 231,13
AOD409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 26А 30Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9K17-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK-D лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56D Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 15.6 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDD390N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 26А 63Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.6нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7660AS Транзистор полевой N-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP26N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5020пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH26N50P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD (IXFH) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTP26P20P Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт Производитель: Littelfuse Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole
NDB5060L Транзистор полевой N-канальный 60В 26A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 64Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 64Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STP33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STW33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"