Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
AP9563GH AP9563GH Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 26А 39Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
26A
Мощность макс.:
39 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
167 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,52
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
394 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,48
STP24NF10 STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A,
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 205,26
AOD409 AOD409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 26А 30Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9K17-60EX BUK9K17-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A автомобильного применения 8-Pin LFPAK-D лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56D
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
15.6 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD390N15A FDD390N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 26А 63Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.6нКл
Входная емкость:
1285пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7660AS FDMS7660AS Транзистор полевой N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
6120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFP26N60LPBF IRFP26N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
470Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXFH26N50P IXFH26N50P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247AD (IXFH)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTP26P20P IXTP26P20P Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDB5060L NDB5060L Транзистор полевой N-канальный 60В 26A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 26A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
64Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB33N60M2 STB33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF33N60M2 STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP33N60M2 STP33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW33N60M2 STW33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"