Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (63)

IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 093 шт

Под заказ:

36 000 шт

Аналоги:

123 490 шт

Цена от:

от 8,76₽

STD4NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 950 шт

Под заказ:

6 799 шт

Цена от:

от 52,81₽

Акция

STD5NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

578 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,84₽

STP4NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

327 шт

Под заказ:

10 шт

Цена от:

от 142,19₽

2SK3564(STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.3 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

70 шт

Цена от:

от 238,66₽

BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

988 шт

Под заказ:

30 шт

Цена от:

от 40,57₽

Акция

STD3NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.7нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

281 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 102,66₽

STP3NK90ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.7нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

312 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 122,23₽

STP4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

249 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 168,50₽

STP4NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

39 шт

Под заказ:

350 шт

Цена от:

от 72,97₽

Акция

TK3A65DA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3АВт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 3A Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

5 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,11₽

2SK2608 Полевой транзистор N-канальный 900В 3А 100Вт [TO-220] Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

2SK3564 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

AO3414 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 436пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 018 шт

Цена от:

от 40,57₽

FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 714пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2523P Транзистор полевой P-канальный 150В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"