Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (63)
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
98 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
23 319 шт

Внешние склады:
47 785 шт
Аналоги:
129 060 шт
Цена от:
от 6,96
Акция
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 91,20
STD4NK80ZT4 STD4NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 946 шт

Внешние склады:
6 715 шт
Цена от:
от 37,62
Акция
STD5NK40ZT4 STD5NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.47 Ом, 45Вт, 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
557 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,60
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
295 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 105,30
Акция
STP4N80K5 STP4N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 60Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
247 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 135,06
Акция
STP4NK80Z STP4NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
327 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 119,82
STP4NK80ZFP STP4NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
830 шт

Внешние склады:
1 354 шт
Цена от:
от 65,34
BSP250,115 BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 71,76
2SK2608 Полевой транзистор N-канальный 900В 3А 100Вт [TO-220]
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
2SK3564 2SK3564 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3А 40Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220SIS (SC-67)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.3 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AO3414 AO3414 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
436пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
30 шт
Цена от:
от 71,76
FDC3512 FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC5614P FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDFS2P106A FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
714пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC2523P FDMC2523P Транзистор полевой P-канальный 150В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"