Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
IRF3205PBF IRF3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 234 шт

Внешние склады:
8 745 шт
Цена от:
от 26,76
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 356 шт

Внешние склады:
315 шт
Цена от:
от 49,92
Акция
IRFB7540PBF IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4555пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,78
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 495 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 77,04
STP120NF10 STP120NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
233нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
227 шт

Внешние склады:
506 шт
Цена от:
от 145,20
Акция
IRF3205SPBF IRF3205SPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF3711SPBF IRF3711SPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 110A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB120NF10T4 STB120NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
233нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STH110N10F7-2 STH110N10F7-2 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 110 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
5117пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP110N10F7 STP110N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP150N10F7 STP150N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
8115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 110 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
11300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
6.9 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
345нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 110A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"