Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (17)

IRLML6246TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

13 573 шт

Под заказ:

5 500 шт

Цена от:

от 10,77₽

DMN6068SE-13 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.3нКл Входная емкость: 502пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.1A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 66 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 67 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBE30SPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDD04N60ZT4G Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMN48XP,115 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 530мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2389ES-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2F30FHTA Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"