Одиночные MOSFET транзисторы

17
Ток стока макс.: 4.1A
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт, 4.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
46 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
77 634 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 8,94
DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
68 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.3нКл
Входная емкость:
502пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2582 FDS2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS86242 FDS86242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
67 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI620GPBF IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFI9634GPBF IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFPE30PBF IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDD04N60ZT4G NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMN48XP,115 PMN48XP,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
530мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI9435BDY-T1-GE3 SI9435BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SQ2389ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2F30FHTA ZXMN2F30FHTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
960мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69564 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"