Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
STB28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 158 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
706 шт

Под заказ:
2 шт
Цена от:
от 336,84
2SK3528-01R Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21А Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал
Наличие:
87 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 238,84
IRF7862TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
545 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 60,16
IRFH9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
600 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 89,79
Акция IRFIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21А 37Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
172 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,11
P4004ED Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 21А 30Вт Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 21A Мощность макс.: 30 Вт Тип транзистора: P-канал
Наличие:
42 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,53
STF28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 158 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1735пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
96 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,73
Акция 2SK3522 Транзистор полевой N-канальный 500В 21А 220Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21A Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал
AUIRFIZ34N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 21 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F/5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
BSC030N03MSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUZ30AH3045AATMA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUZ30AHXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 21A серия OPTIMOS TO220 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
CSD16322Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1365пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD16340Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD16404Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 81A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6530A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6630A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 462пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5160пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4105пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS6699S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3610пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"