Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
2SK3662 2SK3662 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 35Вт (рекомендуемая замена: TK40A06N1, TK30A06N1, TK40E06N1)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 78,54
Акция
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
6 439 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,06
STP30NF10 STP30NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
957 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 55,38
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 54,90
Акция
STB30NF10T4 STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 32,40
STD30NF06LT4 STD30NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 103,80
AUIRFR540Z AUIRFR540Z Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
28.5 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 35A 8-Pin TSDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18543Q3A CSD18543Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8778 FDD8778 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А, 14 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8780 FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782 FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMD8530 FDMD8530 Полевой транзистор N-канальный 30В 35A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7556S FDMS7556S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
133нКл
Входная емкость:
8965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF70N10 FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75321P3 HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB4615PBF IRFB4615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI4510GPBF IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
2998пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"