Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (58)

IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

520 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 521 шт

Цена от:

от 47,10₽

Акция

IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

214Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

123нКл

Входная емкость:

2159пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

5 891 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 56,52₽

Акция

IRLIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

498 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 262,14₽

IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

462 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 79,50₽

IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

297 шт

Внешние склады:

573 шт

Цена от:

от 77,58₽

Акция

IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

456 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 54,54₽

STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

220 шт

Внешние склады:

168 шт

Цена от:

от 78,78₽

2SK3365 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30А 36Вт

Производитель:

Nippon Electric Comp. Ltd.

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

8 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 58,32₽

IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

214Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

123нКл

Входная емкость:

2159пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 98,88₽

2SK2420 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

2SK3025 Транзистор полевой N-канальный 60В 30А 20Вт

Производитель:

Matsushita Electronics

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

2SK3560 Транзистор полевой N-канальный 230В 30А 50Вт

Производитель:

Matsushita Electronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

230В

Ток стока макс.:

30A

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

2SK3596 Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 135Вт

Производитель:

FUJI Electric

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

30A

Мощность макс.:

35 Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

AUIRFR2405 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC014N06NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

1.45 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

89нКл

Входная емкость:

6500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC016N06NS Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм

Мощность макс.:

139Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

5200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y38-100EX Полевой транзистор N-канальный 100В 30A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.9нКл

Входная емкость:

1720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9K18-40E,115 Полевой транзистор 2N-канальный 40В 30A LFPAK56D

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56D

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

2N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

50В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDD5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"