Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (32)
2SK2275 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.5А 35Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.5A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
21 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 134,29
Акция 2SK2480 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.5А 35Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.5A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
55 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 55,65
2SK2750 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 35Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
300 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,72
2SK3567 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 35Вт (рекомендуемая замена: TK4A60DA) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
220 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 85,23
Акция PMV48XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 0.93Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 768 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 19,48
STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1154пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
498 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 203,13
2SK1460LS Транзистор полевой N-канальный 900В 3.5А 3.6Ом 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.6Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
AO6802 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A 6-Pin TSOP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 1.15Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CPH6445-TL-W Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3130L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6110SFDF-7 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.5A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
FDC634P Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 779пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFM2P110 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET 3x3mm Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.1 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
NTGS4141NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"