Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

Акция

IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

14 462 шт

Внешние склады:

5 589 шт

Цена от:

от 21,18₽

Акция

IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 113 шт

Внешние склады:

740 шт

Цена от:

от 48,72₽

IRFI4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 19А 46Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

46 мОм

Мощность макс.:

46Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 099 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 111,00₽

2SK3683 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 19А 97Вт

Производитель:

FUJI Electric

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

19A

Мощность макс.:

97Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

9 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 233,82₽

BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC046N02KSG Полевой транзистор N-канальный 20В 19A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

19A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

8.1нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON8EP

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

265 мОм

Мощность макс.:

239Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

2525пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS0312S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7672 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7672AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86300 Транзистор полевой N-канальный 80В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

7082пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

4.1 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

132нКл

Входная емкость:

5200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB19N20CTM Транзистор полевой N-канальный 200В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

139Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 19A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"