Одиночные MOSFET транзисторы

20
Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
189 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 165,12
Акция
IRF3007PBF IRF3007PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 124,56
AUIRF1010EZ AUIRF1010EZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A TO220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм @ 51А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
2810пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF1010EZS AUIRF1010EZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм @ 51А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
2810пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF1010ZL AUIRF1010ZL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
95нКл @ 10В
Входная емкость:
2840пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3205 AUIRF3205 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
146нКл @ 10В
Входная емкость:
3247пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3205ZSTRL AUIRF3205ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7606-75B,118 BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
7446пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7608-55A,118 BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
254Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
76нКл @ 0В
Входная емкость:
4352пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9606-40B,118 BUK9606-40B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
44нКл @ 5В
Входная емкость:
4901пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9608-55B,118 BUK9608-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9611-80E,118 BUK9611-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
182Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В @ 1mA
Заряд затвора:
48.8нКл @ 5В
Входная емкость:
7149пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9615-100A,118 BUK9615-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
8600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-55B,118 BUK964R2-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
95нКл @ 5В
Входная емкость:
10220пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9E08-55B,127 BUK9E08-55B,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В I2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
203Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
45нКл @ 5В
Входная емкость:
5280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF2804LPBF IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
6450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRL3705ZLPBF IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 5В
Входная емкость:
2880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 5В
Входная емкость:
2880пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IXTH75N10L2 IXTH75N10L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A TO-247
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-247 (IXTH)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
21 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
215нКл @ 10В
Входная емкость:
8100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"