Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
IRLL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 403 шт

Под заказ:
8 100 шт
Цена от:
от 28,77
CSD17381F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 3.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.35нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2170U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 7.8нКл Входная емкость: 303пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD4P25TM_WS Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 420пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IPD50R1K4CEBTMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.1A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IPU50R1K4CEAKMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3.1 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.1A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI830GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR320TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
15 503 шт
Цена от:
от 28,77
SI2301CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 112 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 375 шт
Цена от:
от 1,20
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"