Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

BUK965R8-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм @ 25А, 5В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 133нКл @ 5В Входная емкость: 17460пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

88 шт

Под заказ:

3 147 шт

Цена от:

от 178,09₽

BUK964R7-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 324Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 92.1нКл @ 5В Входная емкость: 15340пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 882 шт

Цена от:

от 259,29₽

IRFB3207ZGPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

85 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 352,69₽

IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

9 000 шт

Цена от:

от 69,49₽

IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6860пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 312 шт

Под заказ:

3 200 шт

Цена от:

от 111,86₽

IRFS7440TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

658 шт

Под заказ:

16 000 шт

Цена от:

от 36,44₽

AUIRFS3206TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK761R7-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 324Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 118нКл @ 10В Входная емкость: 9700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 169нКл @ 10В Входная емкость: 12030пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7E3R5-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 293Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 114нКл @ 10В Входная емкость: 8920пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK961R6-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 120нКл @ 5В Входная емкость: 16400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA032N08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 220нКл @ 10В Входная емкость: 15160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 9620пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 5150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR3717TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В @ 250 µA Заряд затвора: 31нКл @ 4.5В Входная емкость: 2830пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"