Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (89)

Акция

IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

13.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

428 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 28,98₽

IRF8707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-SOIC, 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

11.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

9.3нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

6 369 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 18,48₽

IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN 5x6 mm

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

3.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

518 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 150,30₽

IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN (3x3)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

1543пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 716 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 35,34₽

IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

74 351 шт

Внешние склады:

13 900 шт

Аналоги:

79 329 шт

Цена от:

от 13,74₽

IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 912 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 56,04₽

MMF60R360PTH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт

Производитель:

Magna Chip

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Наличие:

243 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 56,46₽

Акция

SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

242 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 203,70₽

SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3 (fully isolated)

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

41Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

112 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 229,44₽

SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

290 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 179,34₽

SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

85нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 393 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 182,64₽

STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263) type A

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

437 шт

Внешние склады:

410 шт

Цена от:

от 84,18₽

STF11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11А 0.35 Ом, 35Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43.6нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

69 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 135,12₽

STF13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

378 шт

Внешние склады:

700 шт

Цена от:

от 63,66₽

STP11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

43.6нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

349 шт

Внешние склады:

274 шт

Цена от:

от 290,46₽

STP13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

360 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

190 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 103,20₽

STW12NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11А 230Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

880 мОм

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

152нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 538 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 163,20₽

IRF7424TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

14 шт

Внешние склады:

1 800 шт

Цена от:

от 53,94₽

Акция

AO4422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11А 2Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11A

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

BSC123N08NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

11A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"