Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (9)
AUIRFR8403TRL Транзистор полевой N-канальный 40В 127A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 76А, 10В Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 99нКл @ 10В Входная емкость: 3171пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFU8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм @ 60А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 500 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 2200пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRFU8403 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 76А, 10В Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 99нКл @ 10В Входная емкость: 3171пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
BUK7E4R6-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 82нКл @ 10В Входная емкость: 6230пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
BUK9Y3R0-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 35.5нКл @ 5В Входная емкость: 5962пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R8-60E,115 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 238Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 50нКл @ 5В Входная емкость: 7853пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3 Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 53нКл @ 10В Входная емкость: 4680пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм @ 78А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 250нКл @ 10В Входная емкость: 5600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3711TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 2980пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"