Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

11 367 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 27,18₽

IRLML0100TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 1.3Вт, 0,22 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

2.5нКл

Входная емкость:

290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

29 213 шт

Внешние склады:

22 100 шт

Аналоги:

50 918 шт

Цена от:

от 7,44₽

CSD25483F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

205 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

0.96нКл

Входная емкость:

198пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3150LW-7 Полевой транзистор, N-канальный, 28 В, 1.6 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

28В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

88 мОм

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Входная емкость:

305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN6140L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

8.6нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG316P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

165пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN338P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

451пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 180 шт

Цена от:

от 2,52₽

FDN86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

261 мОм

Мощность макс.:

600мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2N100TM Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

9 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15.5нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

9 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15.5нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

24 734 шт

Цена от:

от 27,18₽

NDS355N Транзистор полевой N-канальный 30В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

245пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 728 шт

Цена от:

от 2,94₽

Акция

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 728 шт

Цена от:

от 2,94₽

TPS1100D Транзистор полевой P-канальный 15В 1.6A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

15В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

791мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5.45нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.2нКл

Входная емкость:

497пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"