Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

Акция

BSS806NEH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

674 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 19,74₽

IRLML9303TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.3А 1.25Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

2нКл

Входная емкость:

160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

20 173 шт

Внешние склады:

18 000 шт

Аналоги:

50 959 шт

Цена от:

от 8,10₽

STD3NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

3.3 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

725 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 16,86₽

STD3NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

3.3 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 545 шт

Внешние склады:

1 450 шт

Цена от:

от 52,08₽

BSL306NH6327XTSA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 2.3A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS306NH6327XTSA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.3A SOT-23-3

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSS806NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 2.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17382F4T Транзистор полевой N-канальный 30В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

DMN6140LQ-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

144 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

345пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R2K1CEBTMA1 Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

2.1 Ом

Мощность макс.:

22Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJF3117PT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-WDFN (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

710мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

531пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

156 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

156 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

234 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

10.4нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

50нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SQ2308CES-T1_GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Aвтомобильного применения

Производитель:

Vishay

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

5.3нКл

Входная емкость:

205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP3NK50Z Транзистор полевой N-канальный 500В 2,3А 3,3Ом 45Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

3.3 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±30В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"