Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

BSP372NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.7A

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 907 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 41,16₽

Акция

BSP373NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7А 1.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.7A

Мощность макс.:

1.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5632N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

475пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD2N90TM Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

7.2 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT7N10TF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.5нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7506TRPBF Полевой транзистор P-канальный 30В 1.7A 8-Pin Micro лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

MSOP8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.7A

Тип транзистора:

P-канал

Сообщить о поступлении

IRFBF20LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

900В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

8 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

3.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

HVMDIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

8.4нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NDS355AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.3нКл

Входная емкость:

492пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"