Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
BSS316NH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Наличие:
3 354 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9,47
BSS295 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 1.4A 0.3Ом TO92 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт

Под заказ:
7 500 шт
Цена от:
от 51,99
КП505А Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 8 Ом Производитель: Интеграл, Минск Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 8Ом Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 77,95
BSD316SNH6327 Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS816NWH6327 Транзистор полевой N-канальный 20В 1.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN361BN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 11 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 530пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR1N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1N60ATRPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFU1N60APBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 229пФ Тип монтажа: Through Hole
NDS351AN Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 145пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 132 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 568мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 4.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZXM61N03FTA Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"