Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
AO3400A AO3400A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
39 215 шт
Цена от:
от 1,56
FDMA420NZ FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
935пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC5614P FDMC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-Power33 (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7P20TM FQD7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPA60R750E6XKSA1 IPA60R750E6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17.2нКл
Входная емкость:
373пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP90R1K0C3XKSA1 IPP90R1K0C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба, CoolMOS
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
5.7A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SJ
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFI740GLCPBF IRFI740GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTTFS5116PLTAG NTTFS5116PLTAG Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMV20XNER Транзистор полевой N-канальный 30В 5.7A 3-Pin TO-236AB
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
510мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±12В
Заряд затвора:
18.6нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"