Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (254)
AP18N20GH-HF AP18N20GH-HF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 89Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,52
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 35A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
35А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
159 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 238,32
BSP149H6327 BSP149H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
0.66A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 558 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,34
Акция
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
0.66A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
467 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 94,02
BSS87,115 BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,62
Акция
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 88A TO263
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
88A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
163 шт

Внешние склады:
790 шт
Цена от:
от 287,94
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
88A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
539 шт

Внешние склады:
130 шт
Цена от:
от 308,46
Акция
IRF200B211 IRF200B211 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 12А 80Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
12А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
470 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,12
Акция
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 601 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 26,64
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
529 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,22
IRF630NPBF IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 629 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,18
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
82Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
307 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 75,78
IRF640NPBF IRF640NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 472 шт

Внешние склады:
4 690 шт
Цена от:
от 26,22
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
30 488 шт

Внешние склады:
1 910 шт
Аналоги:
89 шт
Цена от:
от 38,40
IRF7492TRPBF IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 180 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,78
IRF7820TRPBF IRF7820TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 643 шт

Внешние склады:
3 970 шт
Цена от:
от 76,20
Акция
IRFB23N20DPBF IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
56 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 238,50
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
4220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 069 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 114,06
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
776 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 130,50
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 038 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,32
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"