Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
WMO05N100C2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1000В, ток стока 3А Производитель: Wayon Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
66 шт

Под заказ:
3 955 шт
Цена от:
от 90,14
STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1154пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
498 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 203,13
STP8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.85 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 102нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
58 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 469,57
FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole
FQD2N100TM Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 11 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPG40PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPG50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTK22N100L Полевой транзистор, N-канальный, 1000В 22А 700Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 22А Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канальный
IXTY08N100D2 Полевой транзистор N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 21 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Заряд затвора: 14.6нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
MS8N100FE Транзистор MOSFET N-канальный 1000В 8А 31.7Вт [TO-263] Производитель: Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd. Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: Мощность макс.: 31.7Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STD2NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.85A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 499пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1кВ 2.2A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.2А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Through Hole
STF5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1154пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"