Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
STP5NK100Z STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
491 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 172,20
Акция
STP8NK100Z STP8NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.5А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.85 Ом
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
102нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 390,06
WMO05N100C2 WMO05N100C2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1000В, ток стока 3А
Производитель:
Wayon
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
3 941 шт
Цена от:
от 78,36
FQA8N100C FQA8N100C Транзистор полевой N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQD2N100TM FQD2N100TM Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQH8N100C FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N100TU FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
11 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFPG40PBF IRFPG40PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFPG50PBF IRFPG50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
6.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTK22N100L IXTK22N100L Полевой транзистор, N-канальный, 1000В 22А 700Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-264
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
22А
Мощность макс.:
700Вт
Тип транзистора:
N-канальный
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 Полевой транзистор N-канальный 1кВ 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
800мА
Сопротивление открытого канала:
21 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Заряд затвора:
14.6нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MS8N100FE MS8N100FE Транзистор MOSFET N-канальный 1000В 8А 31.7Вт [TO-263]
Производитель:
Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
Мощность макс.:
31.7Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
STD2NK100Z STD2NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.85A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
499пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3NK100Z STD3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD4NK100Z STD4NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1кВ 2.2A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
STF3NK100Z STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF5NK100Z STF5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"