Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IPA057N08N3GXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO-220-FP
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 60А
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
IPB024N08N5ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 166A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 166А
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7493TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 9.3A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 53нКл
Входная емкость: 1510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD40P8F6AG
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 40A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
WMB040N08HGS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 130А
Производитель: Wayon
Корпус: PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 130А
Тип транзистора: N-канальный
WMK040N08HGS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 180А
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 180А
Тип транзистора: N-канальный
BSZ123N08NS3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 40A TSDSON-8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: 8-PQFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 40A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R7-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 324Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 92.1нКл @ 5В
Входная емкость: 15340пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR2908TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 1890пФ
Тип монтажа: Surface Mount
WMK80N08TS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 80А
Тип транзистора: N-канальный
WMO80N08TS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А
Производитель: Wayon
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 80А
Тип транзистора: N-канальный
AOB286L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 13A TO263
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 13A(Ta),70A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 250 µA
Заряд затвора: 63нКл @ 10В
Входная емкость: 3142пФ @ 40В
Тип монтажа: Surface Mount
AON6282
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 26.5A 8DFN
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: 8-DFN (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 26.5A(Ta),85A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 7.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 51нКл @ 10В
Входная емкость: 2848пФ @ 40В
Тип монтажа: Surface Mount
BSC057N08NS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 80В 16А автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 16А
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BSC061N08NS5ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 82A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 82А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.