Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (232)
IRLR024TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR110TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
76 143 шт
Цена от:
от 10,18
IRLR120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
76 143 шт
Цена от:
от 10,18
IRLR120PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 68Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 347 шт
Цена от:
от 31,15
Акция IRLR2905PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 69Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 158 шт
Цена от:
от 31,56
Акция IRLR2905TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 158 шт
Цена от:
от 29,34
Акция IRLR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 69Вт, 0.125 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
652 шт
Цена от:
от 15,44
Акция IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLU024PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ14SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ24PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
715 шт
Цена от:
от 63,25
Акция IRLZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
729 шт
Цена от:
от 77,02
IRLZ44PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"