Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IRFS23N20DTRLP
Транзистор полевой N-канальный 200В 24A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 86нКл @ 10В
Входная емкость: 1960пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 180нКл @ 10В
Входная емкость: 5150пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS33N15DTRLP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 56 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 90нКл @ 10В
Входная емкость: 2020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS38N20DTRRP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 43A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 91нКл @ 10В
Входная емкость: 2900пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4010TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 230нКл @ 10В
Входная емкость: 9830пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4020TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 29нКл @ 10В
Входная емкость: 1200пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 105A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 5320пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 86A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 4460пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS52N15DTRRP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 51A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 89нКл @ 10В
Входная емкость: 2770пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS5615TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 40нКл @ 10В
Входная емкость: 1750пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7434TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA
Заряд затвора: 324нКл @ 10В
Входная емкость: 10820пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7534TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA
Заряд затвора: 279нКл @ 10В
Входная емкость: 10034пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7537TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 173A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA
Заряд затвора: 210нКл @ 10В
Входная емкость: 7020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7540TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 4555пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFSL3206PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6540пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 120нКл @ 10В
Входная емкость: 4520пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFSL4127PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 72A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 150нКл @ 10В
Входная емкость: 5380пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
IRFSL7434PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA
Заряд затвора: 324нКл @ 10В
Входная емкость: 10820пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFU1205PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 44A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1300пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFU13N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 13A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 235 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 830пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара