Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 5150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS33N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 56 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 90нКл @ 10В Входная емкость: 2020пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS38N20DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4010TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4020TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1200пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 5320пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4460пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS5615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 42 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1750пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7434TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA Заряд затвора: 324нКл @ 10В Входная емкость: 10820пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7530TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA Заряд затвора: 354нКл @ 10В Входная емкость: 12960пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7534TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA Заряд затвора: 279нКл @ 10В Входная емкость: 10034пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 7020пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7540TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4555пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 150нКл @ 10В Входная емкость: 5380пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA Заряд затвора: 324нКл @ 10В Входная емкость: 10820пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A(Tc) Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFU13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 235 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 830пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"