Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SPP03N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP07N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 7.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP11N60S5XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 54нКл
Входная емкость: 1460пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP15N65C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 15А 156Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP20N60CFDXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 124нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP24N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 15.4А, 10В
Мощность макс.: 240Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 1.2mA
Заряд затвора: 135нКл @ 10В
Входная емкость: 3000пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
SPW15N60C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPW47N65C3FKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 47А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
STB11N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 480 мОм
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 644пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB11NM60T4
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 450 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB18N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 15A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB21N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB32N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 24А 0.119 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 119 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 3320пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB35N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 27А 0.098 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 98 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 83нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB42N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 79 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB45N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 35 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 35A
Сопротивление открытого канала: 78 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 3375пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.