Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (242)

SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

SPP15N65C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 15А 156Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP20N60CFDXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

20.7A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

124нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPP24N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24.3A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

160 мОм @ 15.4А, 10В

Мощность макс.:

240Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 1.2mA

Заряд затвора:

135нКл @ 10В

Входная емкость:

3000пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPW15N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

15А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPW47N65C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

47А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB11N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

480 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

644пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NM60T4 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB21N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 17.5А 0.199 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

148 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB32N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 0.119 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

119 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

3320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB34N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 28 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

62.5нКл

Входная емкость:

2700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB35N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 27А 0.098 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

98 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

83нКл

Входная емкость:

3750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

79 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

4650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB43N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.5A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

5.5А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB45N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 35 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3375пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

63 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"