Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (358)

CSD18501Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 3840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18503Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 40 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18504Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1656пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18504Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A 77Вт Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50А Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

CSD18509Q5BT Полевой транзистор N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 13900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN4020LFDE-7 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19.1нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4015SK3Q-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 14 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4025LK3-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 6.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4065S-7 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 720мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12.2нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMTH4007LPS-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 15.5A 6.5мОм 2.7Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15.5А Сопротивление открытого канала: 6.5мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 185нКл @ 10В Входная емкость: 9310пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDBL9401-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) H-PSOF лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 300А Тип транзистора: N-канальный

Сообщить о поступлении

FDD4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4141_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2775пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4243 Полевой транзистор, Р-канальный, 40 В, 6.7 А, 44 мОм, 42 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"