Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (281)
BUK9624-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 21.7 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 105Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 1815пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 95нКл @ 5В Входная емкость: 10220пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK98150-55A/CUF Транзистор полевой N-канальный 55В 5.5A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BUK9832-55A/CUX Транзистор полевой N-канальный 55В 12A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BUK9880-55A/CUX Транзистор полевой N-канальный 55В 7A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 7A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BUK9E08-55B,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный TRENCH 55В I2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 203Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 45нКл @ 5В Входная емкость: 5280пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount
HUF75332P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 60A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 145Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75344P3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75345G3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75345P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75345S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD15N06S2L64ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 19A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPD26N06S2L35ATMA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 30A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPD30N06S223ATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPD30N06S2L13ATMA4 Полевой транзистор N-канальный 55В 30A TO252-3 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"