Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOL1482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 37 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 2000пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A(Ta),12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 66 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 415пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ATP301-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 35А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF540Z Транзистор полевой N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRF540ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 74А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 11560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF9540N Транзистор, Auto Q101 Pкан -100В -23А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFR120Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 8.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710ZTRL Полевой транзистор N-канальный 100В 56A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR540Z Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR5410 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 13 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR5410TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 7.8А, 10В Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 58нКл @ 10В Входная емкость: 760пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 9575пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"