Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
AUIRF540ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1770пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF6215 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 13 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF7309QTR Транзистор полевой N/P-канальный 30В 4A/3A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A/3A Тип транзистора: N/P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7313QTR Транзистор полевой N-канальный 30В 6.9A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7416QTR Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-SO
AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7736M2TR Полевой транзистор N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] M4 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 108нКл Входная емкость: 4267пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7739L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 375A DIRECTFET2 Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 46A(Ta),270A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 мОм @ 160А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 330нКл @ 10В Входная емкость: 11880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7749L2TR Производитель: Infineon Technologies
AUIRF7759L2TR Полевой транзистор N-канальный 75В 160A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 96А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 12222пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 74А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 11560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7799L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 35A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 4.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 165нКл @ 10В Входная емкость: 6714пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF9540N Транзистор, Auto Q101 Pкан -100В -23А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
AUIRF9Z34N Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -19А [TO-220AB] Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Through Hole
AUIRFB4610 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 73 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220
AUIRFB8407 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFB8409 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 450нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFI4905 Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFIZ34N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 21 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F/5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFN8403TR Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 95 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"