Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (232)

Акция

IRLD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI530GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI540G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI640GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLIZ14GPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL014NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

14 795 шт

Цена от:

от 23,35₽

IRLL014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 103 шт

Цена от:

от 28,60₽

IRLL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 005 шт

Цена от:

от 25,38₽

Акция

IRLR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR014TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

33 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

33 622 шт

Цена от:

от 17,96₽

IRLR024PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"