Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 31нКл @ 10В Входная емкость: 1360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF7451TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.6A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 90 мОм @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 41нКл @ 10В Входная емкость: 990пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRF9383MTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 22A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 150 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 7305пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540NLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A TO262-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 117 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 36нКл @ 10В Входная емкость: 1510пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A PQFN 5X6 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 98нКл @ 10В Входная емкость: 3174пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFP254PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 140 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 10В Входная емкость: 2700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFR1010ZTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR18N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 125 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR2307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 32А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 75нКл @ 10В Входная емкость: 2190пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR2407TRLPBF Полевой транзистор N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 31 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 750пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A(Tc) Сопротивление открытого канала: 115 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 632 шт
Цена от:
от 16,72
IRFR4104TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 860пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS23N20DTRLP Транзистор полевой N-канальный 200В 24A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"