Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (264)

IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6641TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 48нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 454 шт

Цена от:

от 52,24₽

Акция

IRF7820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 500 шт

Цена от:

от 84,33₽

IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9620STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.5 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"