Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34.9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 112нКл @ 10В Входная емкость: 4245пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47А Тип транзистора: N-канальный
FCA47N60F Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
FCA47N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
FCB36N60NTM Транзистор полевой N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FCD380N60E Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCD5N60-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 950 мОм @ 2.3А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FCD600N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1120пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCD9N60NTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 92.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.8нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCH041N60E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 77 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 592Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 380нКл Входная емкость: 13700пФ Тип монтажа: Through Hole
FCH041N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 76A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 595Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 360нКл Входная емкость: 14365пФ Тип монтажа: Through Hole
FCH072N60F Транзистор полевой N-канальный 600В 52A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 481Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 215нКл Входная емкость: 8660пФ Тип монтажа: Through Hole
FCH104N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37A(Tc) Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 139нКл @ 10В Входная емкость: 5950пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
FCH22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole
FCH25N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 126 мОм Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3352пФ Тип монтажа: Through Hole
FCH35N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В Мощность макс.: 312.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 181нКл @ 10В Входная емкость: 6640пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"