Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (190)
STB15N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB18NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB23N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STB25N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 19.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB30N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 24А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STD1NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 16 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Through Hole
STD2N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 95пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD3NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Through Hole
STD3NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22.5нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole
STD6N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 255пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD7N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.4нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD8N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF13N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Through Hole
STF18NM80 MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 8.5А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 70нКл @ 10В Входная емкость: 2070пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
STF25N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 19.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
STF2N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 95пФ Тип монтажа: Through Hole
STF3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"