Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
JMH65R190AE-13
Транзистор полевой MOSFET силовой 650В 20A 170мОм
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: TO-263-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20А
Сопротивление открытого канала: 170мОм
SIHB12N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1224пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB15N65E-GE3
Полевой транзистор N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB22N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 227Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2415пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHB24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHD6N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 78Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 820пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHF12N65E-GE3
Транзистор полевой N-канальный 650В 12A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1224пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHP24N65E-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 145 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 122нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA04N60C3
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPA04N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
SPA11N65C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPA15N60CFDXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 330мОм 63нКл TO-220-3FP
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Сопротивление открытого канала: 330мОм
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SPB04N60C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 20.7 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 114нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD07N60C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPP02N60C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP03N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.