Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
STP40NF10L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 33 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2300пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80NF10FP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 38А 300Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 189нКл
Входная емкость: 4300пФ
Тип монтажа: Through Hole
TK100E10N1,S1X(S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 207A
Мощность макс.: 255Вт
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
TSM900N10CP
Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 15A одиночный N-канальный
Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15А
Тип транзистора: N-канальный
WMK25N10T1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 25А
Производитель: Wayon
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 25А
Тип транзистора: N-канальный
WMM060N10HGS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 115А
Производитель: Wayon
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 115А
Тип транзистора: N-канальный
WMO099N10HGS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 67А
Производитель: Wayon
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 67А
Тип транзистора: N-канальный
YJB180G10B
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: TO-263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180А
Тип транзистора: N-канальный
YJD18GP10A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A 72Вт -55°С...+150°С TO-252
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18А
Мощность макс.: 72Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
2SJ655
Транзистор полевой P-канальный 100В 12А 25Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 136 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 2090пФ
Тип монтажа: Through Hole
2SK2399(TE16L1,NQ)
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5 А
Производитель: Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SK3480-AZ
Полевой транзистор N-канальный 100В MP-25/TO-220
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
2SK3706
Полевой транзистор, N-канальный, 100В 12А 20Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
AO3442
Транзистор полевой N-канальный 100В 1A 3-Pin SOT-23
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 630 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.9В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AOB290L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18A(Ta),140A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA
Заряд затвора: 126нКл @ 10В
Входная емкость: 9550пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AOB2910L
MOSFET N CH 100V 6A TO263
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6A(Ta),30A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA
Заряд затвора: 25нКл @ 10В
Входная емкость: 1190пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AOD4126
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 24 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AOD478
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AOD482
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 37 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.