Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

ZXMN6A07FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 1.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.2нКл Входная емкость: 166пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07ZTA Транзистор полевой N-канальный 60В 1.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 3.2нКл Входная емкость: 166пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08E6TA Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 459пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08KTC Транзистор полевой N-канальный 60В 5.36A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.36A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 2.12Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 459пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24.2нКл Входная емкость: 1407пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11GTA Полевой транзистор N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11ZTA Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.4 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.7нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 600mА, 10В Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 10В Входная емкость: 141пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18GTA Транзистор полевой P-канальный 100В 3A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP10A18KTC Полевой транзистор P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 2.17Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.9нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP3A13FTA Полевой транзистор P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 210 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 206пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP4A16GTA Транзистор полевой P-канальный 40В 6.4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 26.1нКл Входная емкость: 1007пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13FTA Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.9нКл Входная емкость: 219пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 390 мОм @ 900mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 5.9нКл @ 10В Входная емкость: 219пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A16KTC Транзистор полевой P-канальный 60В Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 2.11Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 24.2нКл Входная емкость: 1021пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17E6QTA Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17.7нКл Входная емкость: 637пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-26 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17.7нКл Входная емкость: 637пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 125 мОм @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 17.7нКл @ 10В Входная емкость: 637пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP7A17GQTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 70В Ток стока макс.: 2.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 2.1А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 635пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP7A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 3.7A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 70В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"