Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1573)
ZXMN10B08E6TA
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
9.2нКл
Входная емкость:
497пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN20B28KTC
Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
358пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2A01FTA
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
303пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2A03E6TA
Транзистор полевой N-канальный 20В 3.6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
837пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2A14FTA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.4 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
544пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2B03E6TA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.3 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2F30FHTA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
960мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
452пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3A01E6TA
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.4 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3A01FTA
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3A14FTA
Полевой транзистор N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
8.6нКл
Входная емкость:
448пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3B14FTA
Полевой транзистор N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
568пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3F30FHTA
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
950мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
318пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN4A06KTC
Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
17.1нКл
Входная емкость:
827пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 1.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07ZTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 1.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08E6TA
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08KTC
Транзистор полевой N-канальный 60В 5.36A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.36A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
2.12Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A09GTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 6.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1407пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A11GTA
Полевой транзистор N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5.7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A11ZTA
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.4 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5.7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара