Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
1579
Особенности:
Logic Level Gate
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1579)
TP0610T-G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-236AB (SOT23)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TP2510N8-G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
480мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TPS1100D
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 15В 1.6A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
15В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
791мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.45нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN0124A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.16A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
16 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN2110GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN2120GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 320мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN3306FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 150мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
35пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4206GVTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4424ASTZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.26A автомобильного применения 3-Pin E-Line Box
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
E-Line (TO-92 compatible)
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
260мА
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN4424GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
500мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 1mA
Входная емкость:
200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4525E6TA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 230MA SOT-23-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
230мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 1mA
Заряд затвора:
3.65нКл @ 10В
Входная емкость:
72пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4525GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 310мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
3.65нКл
Входная емкость:
72пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2120GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4424GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.48A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4525GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 265мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
265мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
3.45нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N03FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P02FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P02XTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара