Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
STL8N10LF3 Транзистор полевой N-канальный 100В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFlat[тм] (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20.5нКл @ 10В Входная емкость: 970пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STN3NF06 Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STP150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 33А 1.6 мОм Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4040пФ Тип монтажа: Through Hole
STP16NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Through Hole
STP20NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP210N75F6 Транзистор полевой N-канальный 75В 120А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 171нКл Входная емкость: 11800пФ Тип монтажа: Through Hole
STP23NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 19.5А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP260N6F6 Транзистор полевой N-канальный 60В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP60NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
STP60NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Through Hole
STP75N3LLH6 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 75 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23.8нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55L-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole
STQ1HNK60R-AP Транзистор полевой N-канальный 600В 400мА Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Through Hole
STS11NF30L Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS5NF60L Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount
STS7NF60L Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В Входная емкость: 1700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STS7PF30L Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STU150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4040пФ Тип монтажа: Through Hole
STU85N3LH5 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STW25NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"