Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
STD12NF06L-1 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 5В Входная емкость: 350пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
STD12NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD150N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 2.8 мОм Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD16NF06LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 24 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD18NF03L Полевой транзистор N-канальный 30В 17A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD1NK60-1 Транзистор полевой N-канальный 600В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Through Hole
STD25NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 100Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD26P3LLH6 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD30NF03LT4 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD30NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 28A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 528 шт
Цена от:
от 28,12
STD30PF03LT4 Транзистор полевой P-канальный 30В 24А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STD5N20LT4 Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 242пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD60NF55LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 60 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD70NS04ZL Полевой транзистор N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 33В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD95N4LF3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STF23NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 19А 0.15 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole
STH240N75F3-6 Транзистор полевой N-канальный 75В 180A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL150N3LLH5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 35 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 5800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STL40N75LF3 Транзистор полевой N-канальный 75В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"