Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Dual Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5457DC-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI6423DQ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7120ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 45нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7149ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 5125пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7157DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 625нКл Входная емкость: 22000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7415DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 174 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7439DP-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7439DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 27.8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 29.5нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 9.6 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7461DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"