Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (158)

SI4403CDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4838BDY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 34 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8812DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8817DB-T2-E1 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 615пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB16NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB60NF06LT4 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF3LLT4 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55L-06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD16NF06LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 24 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD30PF03LT4 Транзистор полевой P-канальный 30В 24А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD35NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STL140N4LLF5 Транзистор полевой N-канальный 40В 140A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 2.75 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 5900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STL40N75LF3 Транзистор полевой N-канальный 75В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP60NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP80NF55L-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 136нКл Входная емкость: 4850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"