Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
471 шт

Под заказ:
25 000 шт
Цена от:
от 23,01
IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
505 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 53,04
IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 822 шт

Под заказ:
149 600 шт
Цена от:
от 23,37
IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
843 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 66,36
IRF9Z24NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 12А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 475 шт

Под заказ:
11 000 шт
Цена от:
от 28,21
Акция IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 733 шт

Под заказ:
700 шт
Цена от:
от 54,85
IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 4220пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 850 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 137,79
IRFB3004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
10 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 294,41
IRFB3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
381 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 164,47
IRFB3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
945 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,91
IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 194 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 75,67
IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 106,66
IRFB3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6920пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
122 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 101,03
IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
506 шт

Под заказ:
5 200 шт
Цена от:
от 57,33
IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
355 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 93,39
IRFB3507PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 97А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 8.8 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
264 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 108,98
IRFB3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
402 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 58,37
IRFB4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
918 шт

Под заказ:
8 000 шт
Цена от:
от 144,01
IRFB4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 501 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 110,16
IRFB4410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
238 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 163,41
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"