Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (202)

NTD5867NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4823NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 10.6 мОм Мощность макс.: 860мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 795пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 910мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTMFS4835NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4852NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 71.3нКл Входная емкость: 4970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4177PR2G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS4801NR2G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 2201пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

NTR5198NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4821NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTTFS4824NTAG Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR5198NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 5.1нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS5826NLTAG Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой P-канальный 30В 2.4A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 309пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RK7002AT116 Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА Производитель: ROHM Корпус: SST3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 33пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

RSC002P03T316 Транзистор полевой P-канальный -30В -0.25A SOT-23 Производитель: ROHM Корпус: SST3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1022R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 330мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2338DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 424пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"