Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount(4)
Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (226)

Акция

FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 1430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A TO-220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A(Tc) Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4.5А, 10В Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 1030пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R190C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.2A TO220 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 7.3А, 10В Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 730 µA Заряд затвора: 73нКл @ 10В Входная емкость: 1620пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R095C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A TO247 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 95 мОм @ 11.8А, 10В Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 590 µA Заряд затвора: 45нКл @ 10В Входная емкость: 2140пФ @ 400В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPZ65R045C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 46A TO247-4 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 24.9А, 10В Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1.25mA Заряд затвора: 93нКл @ 10В Входная емкость: 4340пФ @ 400В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF1405STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 131A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 131A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм @ 101А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 260нКл @ 10В Входная емкость: 5480пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1407STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 100A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм @ 78А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 250нКл @ 10В Входная емкость: 5600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 135A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 104А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 5110пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3007STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 62A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 62A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм @ 48А, 10В Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3270пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3205ZLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 66А, 10В Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 3450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 67нКл @ 10В Входная емкость: 1160пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 822 шт

Цена от:

от 40,68₽

IRF6641TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 4.6А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.6A(Ta),26A(Tc) Сопротивление открытого канала: 59.9 мОм @ 5.5А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 48нКл @ 10В Входная емкость: 2290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 2210пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6646TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 12A(Ta),68A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 150 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2060пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"