Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (572)
2SK3115B Транзистор полевой N-канальный 600В 6А Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3245 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3298 Полевой транзистор, N-канальный, 600В 7.5А 40Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3451 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А, 50 Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Мощность макс.: 50 Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3667 Транзистор полевой N-канальный 600В 7.5А 45Вт (рекомендуемая замена: TK8A60DA) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3687 Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 97Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Мощность макс.: 97Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3911 Полевой транзистор, N-канальный, 600В 20А 150Вт (Recommended replacement: TK12J60W) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал
2SK4087 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14А 40Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 14A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK4125-1E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
AO3160 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.4 А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 40мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 500 Ом @ 16mА, 10В Мощность макс.: 1.39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В @ 8 µA Заряд затвора: 1.5нКл @ 10В Входная емкость: 15пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AOB20S60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 199 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 266Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 19.8нКл @ 10В Входная емкость: 1038пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
AOD11S60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A(Tc) Сопротивление открытого канала: 399 мОм @ 3.8А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 11нКл @ 10В Входная емкость: 545пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
AOD1N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.3A TO252 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 Ом @ 650mА, 10В Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 8нКл @ 10В Входная емкость: 160пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AOD2N60 Полевой транзистор N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS126H6906XTSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 0.021A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 021A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 469 шт
Цена от:
от 16,85
BSS127 Транзистор полевой N-канальный 600В 0.021А 0.5Вт Производитель: Hottech Co. Ltd Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 0.021А Мощность макс.: 0.5Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive
BSS127S-7 Транзистор полевой N-канальный 600В 0.05A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 50мА Сопротивление открытого канала: 160 Ом Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 1.08нКл Входная емкость: 21.8пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS127SSN-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50MA SC59 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 50мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 160 Ом @ 16mА, 10В Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 1.08нКл @ 10В Входная емкость: 21.8пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
CPC3960ZTR Полевой транзистор N-канальный 600В 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Сопротивление открытого канала: 44 Ом Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCA16N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"