Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
2SK3451
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 А, 50 Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Мощность макс.: 50 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3527
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 220Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 17A
Мощность макс.: 220Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3667
Транзистор полевой N-канальный 600В 7.5А 45Вт (рекомендуемая замена: TK8A60DA)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7.5A
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3687
Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 97Вт
Производитель: FUJI Electric
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Мощность макс.: 97Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3911
Полевой транзистор, N-канальный, 600В 20А 150Вт (Recommended replacement: TK12J60W)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK4087
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 14А 40Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 14A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK4125-1E
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 610 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
AO3160
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.4 А
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 40мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 500 Ом @ 16mА, 10В
Мощность макс.: 1.39Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В @ 8 µA
Заряд затвора: 1.5нКл @ 10В
Входная емкость: 15пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AOB20S60L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A TO263
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 199 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 266Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA
Заряд затвора: 19.8нКл @ 10В
Входная емкость: 1038пФ @ 100В
Тип монтажа: Surface Mount
AOD11S60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 399 мОм @ 3.8А, 10В
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA
Заряд затвора: 11нКл @ 10В
Входная емкость: 545пФ @ 100В
Тип монтажа: Surface Mount
AOD1N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.3A TO252
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 9 Ом @ 650mА, 10В
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 8нКл @ 10В
Входная емкость: 160пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AOD2N60
Полевой транзистор N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 56.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSS126H6906XTSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.021A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 021A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
BSS127
Транзистор полевой N-канальный 600В 0.021А 0.5Вт
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 0.021А
Мощность макс.: 0.5Вт
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Automotive
BSS127S-7
Транзистор полевой N-канальный 600В 0.05A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 50мА
Сопротивление открытого канала: 160 Ом
Мощность макс.: 610мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 1.08нКл
Входная емкость: 21.8пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSS127SSN-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50MA SC59
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 50мА(Ta)
Сопротивление открытого канала: 160 Ом @ 16mА, 10В
Мощность макс.: 610мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 1.08нКл @ 10В
Входная емкость: 21.8пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUZ91A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 0.9Ом 150Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 8A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
CPC3960ZTR
Полевой транзистор N-канальный 600В 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Сопротивление открытого канала: 44 Ом
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Depletion Mode
Входная емкость: 100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FCA16N60N
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 199 мОм
Мощность макс.: 134.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCA20N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A TO-3PN
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20А
Тип транзистора: N-канальный
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.