Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (190)
IRFPE40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.4А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPE50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
IXFH16N80P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-247AD Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 16A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 4600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXFX27N80Q Транзистор полевой N-канальный 800В 27A Производитель: IXYS Corporation Корпус: PLUS247[тм]-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 320 мОм @ 500mА, 10В Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 4mA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 7600пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IXKR25N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 25 А Производитель: IXYS Corporation Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 150 мОм @ 18А, 10В Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 2mA Заряд затвора: 355нКл @ 10В Тип монтажа: Through Hole
OSG80R650DF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 24A 0.6Ом Производитель: Oriental Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 24А Сопротивление открытого канала: 0.6Ом Тип транзистора: N-канальный
SPA02N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPA04N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA17N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A TO220FP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole
SPB17N80C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPD02N80C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 2A 3TO252 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPD04N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPI08N80C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP04N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STB11NM80T4 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB12NK80ZT4 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 750 мОм @ 5.25А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 2620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
STB13N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"